2490
2019-05-09
??碳化硅晶體作為第三代半導體材料的代表，在電子電力器件、高亮度發(fā)光二級管等節(jié)能環(huán)保領域有著廣泛的應用前景。然而碳化硅晶體制備存在成本高、能效低等問題，限制了碳化硅晶體在民用領域的大規(guī)模應用。
相關研究工作
中國科學院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項目部借鑒上海硅酸鹽所發(fā)明的多坩堝下降晶體制備技術，在對氣相輸運與沉積基本科學技術原理深入認識的基礎上，發(fā)明了多頭物理氣相輸運技術，成功實現(xiàn)單爐次制備多個碳化硅晶體，所得晶體的一致性、重復性和穩(wěn)定性有明顯提升。采用多頭物理氣相輸運技術使晶體制備效率提高至傳統(tǒng)制備技術的300%以上，制備成本則降低至原來的40%以下，有望實現(xiàn)低成本、高效率碳化硅晶體制備，有效推動其在民用領域的大規(guī)模應用。
多頭物理氣相輸運技術碳化硅晶體制備過程
版權與免責聲明：
（1） 凡本網(wǎng)注明"來源：顆粒在線"的所有作品，版權均屬于顆粒在線，未經本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已獲本網(wǎng)授權的作品，應在授權范圍內使用，并注明"來源：顆粒在線"。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究相關法律責任。
（2）本網(wǎng)凡注明"來源：xxx（非顆粒在線）"的作品，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，且不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)下載使用，必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源"，并自負版權等法律責任。
（3）如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
