??日前，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司成功推出大尺寸（6-8英寸）碳化硅單晶襯底材料，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)大尺寸擴(kuò)徑技術(shù)，未來(lái)將滿足不同客戶的需求。

碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國(guó)內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。作為國(guó)家科技發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域，碳化硅市場(chǎng)已經(jīng)初具規(guī)模，但襯底材料仍是瓶頸，當(dāng)前碳化硅襯底短缺且昂貴，在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的成本中占大頭，仍是“卡脖子”問(wèn)題，是行業(yè)最大的痛點(diǎn)。碳化硅可廣泛應(yīng)用于5G通訊、航空航天、軌道交通、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓輸配電和電能變換、電機(jī)控制、節(jié)能建筑等重要國(guó)防和民用領(lǐng)域，是推動(dòng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要支撐。

半導(dǎo)體本質(zhì)是一種導(dǎo)電性可受控制、介于絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。從半導(dǎo)體材料分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）等。從產(chǎn)業(yè)視角，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是圍繞半導(dǎo)體包括材料、性能、應(yīng)用等發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)進(jìn)行科學(xué)研究、技術(shù)開(kāi)發(fā)、功能設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、集成應(yīng)用與系統(tǒng)實(shí)施的全體系的產(chǎn)業(yè)。簡(jiǎn)化講，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是基于（半導(dǎo)體）材料的產(chǎn)業(yè)。

碳化硅是目前最為成熟、商業(yè)前景最明朗的第三代半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。相比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料，碳化硅擁有3倍的禁帶寬度、3倍的熱導(dǎo)率、10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、以及10倍的電子飽和漂移速率。因此用碳化硅制備的器件可實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的小型化、輕量化、高效化和低耗化，被譽(yù)為“電力電子器件的綠色核心”。更適用于高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，全球碳化硅襯底主要來(lái)自美國(guó)Cree和II-VI企業(yè)，已實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅單晶襯底規(guī)?；慨a(chǎn)，并計(jì)劃幾年內(nèi)升級(jí)為8英寸，大尺寸化趨勢(shì)已經(jīng)形成。在碳化硅高質(zhì)量、大尺寸發(fā)展的國(guó)際趨勢(shì)下，我國(guó)企業(yè)積極部署趕超戰(zhàn)略，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將自主創(chuàng)新作為企業(yè)牢牢把握的命脈，此次推出的6英寸碳化硅擴(kuò)徑晶體，走出了為實(shí)現(xiàn)我國(guó)戰(zhàn)略新興半導(dǎo)體碳化硅材料自主可控的第一步，并將為完成我國(guó)十三五規(guī)劃及達(dá)成中國(guó)制造2025的目標(biāo)而不懈努力。（光明日?qǐng)?bào)全媒體記者劉欣偉）