??消息顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股10%。

山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅企業(yè)。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。

今年四月，來自啟信寶數(shù)據(jù)顯示，華為新成立了一家投資公司，名為哈勃科技投資有限公司。這家公司注冊資本為7億元人民幣，由華為投資控股有限公司100%控股。

哈勃科技投資有限公經(jīng)營范圍是創(chuàng)業(yè)投資業(yè)務，法定代表人、董事長以及總經(jīng)理均為白熠，他同時擔任華為全球金融風險控制中心總裁。

據(jù)資料顯示，華為哈勃投資的山東天岳公司成立于2011年12月，是以第三代半導體碳化硅材料為主的高新技術企業(yè)。公司投資建成了第三代半導體產(chǎn)業(yè)化基地，具備研發(fā)、生產(chǎn)、國際先進水平的半導體襯底材料的軟硬件條件，是我國第三代半導體襯底材料行業(yè)的先進企業(yè)。

今年二月，山東天岳碳化硅功率半導體芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目正式開工。

據(jù)了解，天岳的碳化硅功率半導體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目是濟南2019年市級重點項目之一，該項目總投資65000萬元，項目總占用廠房面積為2400平方米，主要將建設碳化硅功率芯片生產(chǎn)線和碳化硅電動汽車驅(qū)動模塊生產(chǎn)線各一條，利用廠區(qū)原有廠房的空置區(qū)域建設。

據(jù)山東天岳官方消息，本項目以硅烷和甲烷在氫氣和氬氣條件下制得SiC襯底外延片后，經(jīng)掩膜淀積、光刻、顯影、灰化、刻蝕和檢驗封裝等工序，生產(chǎn)SiC MOSFET晶體管，設計年生產(chǎn)規(guī)模為400萬只/年；以碳化硅外延材料為原料，經(jīng)晶圓標記、離子注入、廠板淀積、歐姆接觸、肖特基電極、鈍化層制備等工序，生產(chǎn)SiC功率二極管，設計年生產(chǎn)規(guī)模為1200萬只/年；以碳化硅芯片為原料，經(jīng)焊接、清洗、鋁引線鍵合灌封硅凝膠等工序，生產(chǎn)碳化硅電動汽車驅(qū)動模塊，設計年生產(chǎn)規(guī)模為1萬只/年。

碳化硅是電力器件的未來？

碳化硅（SiC）是第三代半導體材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟傳統(tǒng)半導體材料硅相比，它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率等明顯的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料，與硅材料的物理性能對比，主要特性包括：

（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近10倍；

（2）熱導率高，超過硅材料的3倍；

（3）飽和電子漂移速度高，是硅材料的2倍；

（4）抗輻照和化學穩(wěn)定性好；

（5）與硅材料一樣，可以直接采用熱氧化工藝在表面生長二氧化硅絕緣層。

比如，在相同耐壓級別條件下，Si-MOSFET必須要做得比較厚，而且耐壓越高厚度就會越越厚，導致材料成本更高。在柵極和漏極間有一個電壓隔離區(qū)，這個區(qū)越寬，內(nèi)阻越大，功率損耗越多，而SiC-MOSFET可以講這個區(qū)域做得更薄，達到Si-MOSFET厚度的1/10，同時漂移區(qū)阻值降低至原來的1/300。導通電阻小了,能量損耗也就小了，性能得到提升。

碳化硅功率半導體器件包括二極管和晶體管，其中二極管主要有結(jié)勢壘肖特基功率二極管（JBS）、PiN功率二極管和混合PiN肖特基二極管（MPS）；晶體管主要有金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、雙極型晶體管（BJT）、結(jié)型場效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和門極可關斷晶閘管（GTO）等。

相對Si功率器件，SiC在二極管和晶體管的優(yōu)勢特征為：在二級管中，Ｓi-FRD構(gòu)造電壓可以達到250Ｖ，而換成SiＣ電壓則可達到4000V左右；晶體管中Si-MOSFET可以做到900Ｖ，市場上也有1500Ｖ的，但特性會差些，而SiC產(chǎn)品電壓可達3300V。

碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率，對高效能源轉(zhuǎn)換領域產(chǎn)生重大而深遠的影響，主要領域有智能電網(wǎng)、軌道交通、電動汽車、新能源并網(wǎng)、通訊電源等。被譽為未來的功率器件選擇。