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          華中科技大學(xué):Mg修飾多孔SnO2電子傳輸層提高鈣鈦礦電池性能

          來(lái)源:顆粒在線 2443 2022-04-13

          顆粒在線訊:通過(guò)平面SnO2作為電子傳輸層構(gòu)建的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池目前實(shí)現(xiàn)了最高記錄的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化效率,但是多孔SnO2電子傳輸層結(jié)構(gòu)構(gòu)建的太陽(yáng)能電池器件的性能仍非常差。有鑒于此,華中科技大學(xué)韓宏偉、梅安意等報(bào)道將在SnO2漿料中加入Mg調(diào)控氧缺陷,實(shí)現(xiàn)了高效率可印刷制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件。

          本文要點(diǎn):

          1)通過(guò)高溫煅燒處理,能夠消除氧缺陷從而抑制SnO2自摻雜。在漿料中加入的Mg能夠占據(jù)Sn位點(diǎn)和SnO2的間隙位點(diǎn),并促進(jìn)形成氧空穴。形成的晶格Mg能夠引入中性氧空穴、間隙Mg導(dǎo)致中性氧空穴進(jìn)行離子化實(shí)現(xiàn)自摻雜。

          2)通過(guò)調(diào)控氧空穴,提高SnO2的載流子濃度和Fermi能級(jí)位置,因此這種電子傳輸層具有更低的電荷傳輸陷阱,能夠抑制界面復(fù)合,電池的性能從6.62 %顯著提高至17.25 %。

          Mg修飾多孔SnO2電子傳輸層提高鈣鈦礦電池性能

          文章鏈接:

          Jiale Liu, et al, Hongwei Han, Oxygen Vacancy Management for High-Temperature Mesoporous SnO2 Electron Transport Layers in Printable Perovskite Solar Cells, Angew. Chem. Int. Ed. 2022

          DOI: 10.1002/anie.202202012

          https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202202012

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