1858
2022-08-19
顆粒在線訊：垂直溝道納米器件因其對(duì)柵長(zhǎng)限制小、布線靈活及便于3D一體集成等優(yōu)勢(shì)，在1納米邏輯器件/10納米 DRAM存儲(chǔ)器及以下技術(shù)代的集成電路先進(jìn)制造技術(shù)方面具有巨大應(yīng)用潛力。
要實(shí)現(xiàn)垂直溝道納米晶體管的大規(guī)模制造，須對(duì)其溝道尺寸和柵極長(zhǎng)度進(jìn)行精準(zhǔn)控制。對(duì)于高性能垂直單晶溝道納米晶體管，現(xiàn)階段控制溝道尺寸的最好方法是采用先進(jìn)光刻和刻蝕技術(shù)，但該技術(shù)控制精度有限，導(dǎo)致器件性能波動(dòng)過大，不能滿足集成電路大規(guī)模先進(jìn)制造的要求。
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員朱慧瓏團(tuán)隊(duì)在實(shí)現(xiàn)對(duì)柵極長(zhǎng)度和位置精準(zhǔn)控制的基礎(chǔ)上，提出并研發(fā)出了一種C型單晶納米片溝道的新型垂直器件（VCNFET）以及與CMOS技術(shù)相兼容的“雙面處理新工藝”，其突出優(yōu)勢(shì)是溝道厚度及柵長(zhǎng)/位置均由外延層薄膜厚度定義并可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)控制，為大規(guī)模制造高性能器件奠定了基礎(chǔ)，研制出的硅基器件亞閾值擺幅（SS）以及漏致勢(shì)壘降低（DIBL）分別為61mV/dec和8mV/V，電流開關(guān)比達(dá)6.28x109，電學(xué)性能優(yōu)異。
相關(guān)研究成果于近日以Vertical C-Shaped-Channel Nanosheet FETs Featured with Precise Control of both Channel-Thickness and Gate-Length為題發(fā)表在IEEE Electron Device Letters上。
圖1 (a) 垂直納米片器件的TEM截面圖 (b) 器件溝道中心位置的納米束衍射花樣 (c) 外延硅溝道的TEM俯視圖 (d)-(f) 器件截面的EDS能譜圖
圖2 垂直納米片器件的轉(zhuǎn)移輸出特性曲線
版權(quán)與免責(zé)聲明：
（1） 凡本網(wǎng)注明"來源：顆粒在線"的所有作品，版權(quán)均屬于顆粒在線，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明"來源：顆粒在線"。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
（2）本網(wǎng)凡注明"來源：xxx（非顆粒在線）"的作品，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，且不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)下載使用，必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源"，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
（3）如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
