顆粒在線訊:近日,中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所納米材料與器件技術(shù)研究部與新加坡南洋理工大學(xué)合作,在雙軸應(yīng)力調(diào)控二維材料析氫方面取得新進展。相關(guān)研究成果發(fā)表在Advanced Materials上。
由于固有的拉伸應(yīng)變和增強的局部電場具有高度彎曲表面的納米材料,已被證明可有效調(diào)節(jié)自身表面的物理化學(xué)狀態(tài)。研究表明,過渡金屬二硫化物(TMD)中的應(yīng)力可激活惰性基面、提高催化性能,如二硫化鉬(MoS2)。然而,與傳統(tǒng)的單軸應(yīng)力相比,多維度應(yīng)力和TMDs層數(shù)對局域電子結(jié)構(gòu)、空穴的影響有待探索。
鑒于此,研究人員提出新型自硫化策略來誘導(dǎo)原位形成層數(shù)可調(diào)的雙軸應(yīng)變MoS2納米殼,并剖析了雙軸應(yīng)力和層數(shù)如何影響其局部電子構(gòu)型和活性中心結(jié)構(gòu)。電化學(xué)測試和密度泛函理論(DFT)計算表明:可優(yōu)化MoS2納米殼中的應(yīng)變程度、層數(shù)和Mo配位條件以實現(xiàn)增強的析氫反應(yīng)(HER)活性;雙軸應(yīng)變和S空位有助于促進氫吸附步驟;具有4個配位數(shù)的特定Mo位點的雙層MoS2納米殼表現(xiàn)出高效的理論催化活性。該工作為制備具有微調(diào)層數(shù)的雙軸應(yīng)變TMDs電極以及提高電催化性能開辟了新的有效途徑。
研究工作得到國家自然科學(xué)基金、中科院交叉創(chuàng)新團隊和新加坡科技研究局的支持。
圖1.Ni3S2@BLMoS2的合成與結(jié)構(gòu)表征
圖2.DFT理論計算
來源:合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
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