9月28日，中國半導(dǎo)體功率器件設(shè)計領(lǐng)軍者——無錫新潔能股份有限公司（股票簡稱“新潔能”、股票代碼“605111”）在上交所主板正式掛牌上市，本次A股發(fā)行價為19.91元/股，發(fā)行數(shù)量為2530萬股，保薦機(jī)構(gòu)（主承銷商）為平安證券股份有限公司。  

連續(xù)4年榮膺“中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”

新潔能成立于2013年1月，專業(yè)從事MOSFET（金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片主要由公司設(shè)計方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn)，功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進(jìn)行封裝測試而成。公司已初步完成部分先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線的建設(shè)，將部分芯片自主封裝成品后對外銷售。公司產(chǎn)品系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。自2016年以來，公司連續(xù)4年名列中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的“中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”，為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計企業(yè)之一。

公司是高新技術(shù)企業(yè)，且為中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會會員、中國電源學(xué)會理事單位。公司亦為江蘇半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 2017 年度先進(jìn)會員單位，已建立了江蘇省功率器件工程技術(shù)研究中心、江蘇省企業(yè)研究生工作站、東南大學(xué)-無錫新潔能功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。公司已獲得 2019 年度江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎，并獲得 2020 年度國家技術(shù)發(fā)明獎提名。截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項專利，其中發(fā)明專利 35 項、實用新型 59 項，外觀設(shè)計3 項。此外，公司已通過 ISO9001 質(zhì)量管理體系認(rèn)證等多項權(quán)威認(rèn)證。

率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，三季報營收與凈利雙雙大幅預(yù)增

新潔能基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國內(nèi)率先掌握超結(jié)理論，并量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)之一，是國內(nèi)最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一。

截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項專利，其中發(fā)明專利 35 項，發(fā)明專利數(shù)量和占比在國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)內(nèi)位居前列；公司擁有的該等專利與MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進(jìn)工藝技術(shù)密切相關(guān)，對公司核心技術(shù)形成了專利保護(hù)，對同行業(yè)競爭者和潛在競爭者均形成了較高的技術(shù)壁壘。

此外，公司參與在IEEE等國際知名期刊中發(fā)表論文 13 篇，其中 SCI 收錄論文 7 篇，不斷提升公司自身在先進(jìn)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的整體技術(shù)水平，縮小了與國際一流半導(dǎo)體功率器件企業(yè)的技術(shù)差距，拉大了與國內(nèi)同行業(yè)競爭者的技術(shù)差距。

公司與科研院所在功率器件設(shè)計領(lǐng)域開展長期合作，針對重點項目成立了技術(shù)攻關(guān)小組。公司持續(xù)推進(jìn)高端 MOSFET、IGBT的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已推出先進(jìn)的超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上，進(jìn)一步對上述產(chǎn)品升級換代。公司目前亦率先在國內(nèi)研發(fā)基于12 英寸晶圓片工藝平臺的 MOSFET 產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已處于小批量風(fēng)險試產(chǎn)環(huán)節(jié)。公司還進(jìn)一步提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，開展對SiC/GaN 寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索和產(chǎn)業(yè)化，緊跟最先進(jìn)的技術(shù)梯隊，提升公司核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。

報告期各期（2017年度~2019年度），新潔能分別實現(xiàn)營業(yè)收入50,375.98 萬元、71,579.03 萬元和 77,253.69 萬元，凈利潤分別為 5,189.11 萬元、14,141.89 萬元和 9,820.95 萬元。

值得一提的是，新潔能預(yù)計 2020 年 1-9 月營業(yè)收入?yún)^(qū)間為 64,000.00 萬元至 65,500.00 萬元，同比上漲 18.05%至 20.82%；預(yù)計 2020 年1-9 月歸屬于母公司所有者的凈利潤區(qū)間為 9,200.00 萬元至 9,700.00 萬元，同比上漲 44.82%至 52.69%。

政策扶持、進(jìn)口替代！我國半導(dǎo)體分立器件業(yè)蘊含巨大發(fā)展契機(jī)

目前，我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2017年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模已達(dá)到2473.9億元，2018年我國半導(dǎo)體分立器件全年銷售規(guī)模為2658.4億元，較2017年增長7.50%。從技術(shù)發(fā)展水平來看，目前國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的整體技術(shù)水平仍與國際領(lǐng)先水平存在一定的差距。但隨著國家鼓勵政策的大力扶持、半導(dǎo)體分立器件國產(chǎn)化趨勢顯現(xiàn)，以及下游應(yīng)用領(lǐng)域需求增長的拉升，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)蘊含著巨大的發(fā)展契機(jī)。

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2017年中國半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口金額為281.8億美元，相較于2014年進(jìn)口額下降了10.20%。未來，隨著國內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國半導(dǎo)體分立器件對進(jìn)口的依賴將會進(jìn)一步減弱，進(jìn)口替代效應(yīng)將顯著增強(qiáng)。

根據(jù)全球知名市場研究機(jī)構(gòu) IHS 統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2016 年、2017 年國內(nèi)MOSFET 市場份額分別為 22.07 億美元、26.39 億美元。新潔能 2016 年、2017 年分別占國內(nèi) MOSFET 市場份額比例分別為（年度平均匯率分別為 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司為除英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞薩電子（Renesas Electronics）等 9 家外資品牌外的國內(nèi)排名前茅的 MOSFET研發(fā)設(shè)計及銷售本土企業(yè)。根據(jù) IHS、電子工程世界網(wǎng) Yole 相關(guān)數(shù)據(jù)，2018 年全球 MOSFET 市場份額預(yù)計將增長至 76 億美元，比照 Yole 關(guān)于國內(nèi)功率器件占全球份額約 39%測算，國內(nèi) 2018 年 MOSFET 市場份額預(yù)計將達(dá)到 29.64 億美元，新潔能占國內(nèi) MOSFET 市場份額比例達(dá) 3.65%。

市場研究機(jī)構(gòu) IC Insights 指出在各類半導(dǎo)體功率器件組件中，未來增長最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET與 IGBT 模塊。

新潔能本次發(fā)行募集資金扣除發(fā)行費用后，將主要用于“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化項目”“半導(dǎo)體功率器件封裝測試生產(chǎn)線建設(shè)項目”“碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”“研發(fā)中心建設(shè)項目”及“補(bǔ)充流動資金”。

對于公司的發(fā)展戰(zhàn)略，新潔能董事長、總經(jīng)理朱袁正先生在上市路演中表示：作為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)先企業(yè)，公司將專注于中高端半導(dǎo)體功率器件和模塊的研發(fā)設(shè)計及銷售。在保持MOSFET產(chǎn)品技術(shù)和市場優(yōu)勢基礎(chǔ)上，公司將不斷引進(jìn)各類管理、技術(shù)、營銷人才，構(gòu)建高效、現(xiàn)代化的經(jīng)營管理體系，進(jìn)一步拓展MOSFET產(chǎn)品、重點深化IGBT產(chǎn)品，成為國內(nèi)自主創(chuàng)新、技術(shù)領(lǐng)先、品質(zhì)高端的自主品牌的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。同時，公司將進(jìn)一步加大研發(fā)投入，持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈，掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN（碳化硅/氮化鎵）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，進(jìn)一步強(qiáng)化企業(yè)核心競爭力，加快發(fā)展成為國際一流的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。