??　　2019年3月15日，美國Cree公司宣布將旗下LED照明部門（Cree Lighting）以3.1億美元出售給美國Ideal Industries公司。Cree出售的業(yè)務包括用于商業(yè)的LED照明燈具和企業(yè)照明解決方案。通過此次業(yè)務剝離，Cree公司繼續(xù)專注化合物半導體射頻和功率應用市場，滿足5G通信和新能源汽車的市場需求。分析Cree在化合物半導體領域的發(fā)展策略，對我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有啟示作用。

　　一、Cree出售LED照明業(yè)務的背景和原因

　　（一）LED照明市場已成為競爭紅海

　　一方面，LED照明不再是技術競爭高地。2014年的諾貝爾獎物理學獎頒給了赤崎勇、天野浩和中村修三位科學家，以表彰他們發(fā)明了用于照明的藍色發(fā)光二極管（LED）。氮化鎵（GaN）材料的突破使得LED成為改變?nèi)祟愓彰鞣绞降囊淮胃锩Ｋ{光LED發(fā)明后的20余年里，LED燈的性價比不斷提高，甚至遵循著類似“摩爾定律”的“海茨法則”。當前LED照明的成本已下降了90％以上，發(fā)光效率提升了30倍，使得LED的性能和成本已完全滿足照明需求，替代性光源市場滲透率接近50％。LED燈已從技術競爭的高地轉(zhuǎn)為成熟的通用大宗商品。

　　另一方面，成本控制和市場開拓成為LED照明企業(yè)發(fā)展的核心競爭力。LED制造環(huán)節(jié)趨向標準化和通用化，附加價值越來越低。通用電氣、歐司朗、飛利浦等國際傳統(tǒng)照明龍頭企業(yè)紛紛出售和剝離LED照明業(yè)務。加之龍頭企業(yè)早期布局的核心發(fā)明專利逐漸脫離保護年限，掌握芯片制造產(chǎn)能和強大應用市場的中國LED企業(yè)成為行業(yè)的主力。三安光電、華燦光電、木林森、歐普照明等成為代表企業(yè)。根據(jù)CSA的數(shù)據(jù)，2018年我國半導體照明總體產(chǎn)值超過7000億元，芯片產(chǎn)能超過1200萬片／月（折合4英寸）。

　?。ǘ〤ree在半導體照明市場風光不再

　　Cree公司曾是LED技術進步的領頭羊。依托SiC材料領域的優(yōu)勢，Cree以獨有的“SiC襯底LED”技術路線，屢屢打破LED照明的發(fā)光效率紀錄。Cree于2015年將LED發(fā)光效率提升至303lm／W，打破了其在2013年創(chuàng)下的276lm／W的紀錄。然而，100－200lm／W的光效已能滿足大部分照明場景需求，高發(fā)光效率并不能繼續(xù)提升產(chǎn)品附加值。加之基于“藍寶石襯底LED”技術路線的LED制造成本持續(xù)下跌，Cree在LED市場的競爭優(yōu)勢日益弱化。公司照明業(yè)務收入近三年來下滑了近40％。2017年，Cree選擇與國內(nèi)三安光電公司成立合資公司，變相讓出了中低功率LED市場。

圖1 2016－2019財年Cree公司營業(yè)收入（單位：百萬美元）

數(shù)據(jù)來源：公司財報，賽迪智庫整理和預測

　?。ㄈ┬屡d應用市場驅(qū)動化合物半導體產(chǎn)業(yè)成長

　　除了具有出色的發(fā)光性能，化合物半導體相對Si器件還具有開關速度快、耐電壓高、散熱好等特點，在射頻和功率器件領域擁有更優(yōu)異的性能。

　　在新能源汽車中，使用SiC功率器件可以使充電裝置體積縮小80％、重量減輕60％、能量損耗降低25％。特斯拉的Model 3車型中已采用SiC MOSFET作為逆變器的開關器件，替代IGBT器件。在移動通信基站中，使用GaN射頻器件可以滿足更高通信頻段下的通信效率，使每座基站可覆蓋的用戶提升2倍，單用戶的數(shù)據(jù)傳輸速率提升10倍。華為公司在4G通信基站中已開始批量使用GaN射頻器件，替代LDMOS器件。此外在光伏、風能、家電等應用市場，SiC和GaN器件也有替代市場空間。

　　2018年，全球SiC功率器件市場規(guī)模約為4.5億美元，全球GaN射頻器件市場規(guī)模約為5億美元，5年后的市場規(guī)模有望分別達到20億美元和10億美元。

　?。ㄋ模〤ree計劃專注發(fā)展化合物半導體業(yè)務

　　Cree公司成立于1987年，早期的技術來源自美國北卡州立大學。Cree于1991年發(fā)布了第一片商用的SiC襯底材料，于1998年推出了首個工業(yè)用的GaN－on－SiC射頻器件。Cree于2002年發(fā)布全球首個商用的SiC功率器件，于2011年發(fā)布全球首個SiC MOSFET功率器件。2000年，Cree收購GaN器件企業(yè)Nitres，2004年收購ATMI公司的GaN襯底和外延業(yè)務部門，2006年收購SiC襯底企業(yè)Intrinsic Semiconductor。

　　2015年9月，Cree公司將旗下功率和射頻部門（Power ＆ RF）分拆為獨立的“Wolfspeed”公司。新成立后的Wolfspeed公司是全球最大的SiC襯底材料供應商，是美國軍用雷達可靠的GaN射頻器件供應商和全球前三大的SiC功率器件企業(yè)。預計2019年，Wolfspeed公司的銷售額將達到5.9億美元，是2015年分拆時的3.3倍。

圖2 2016－2019財年Wolfspeed公司營業(yè)收入（單位：百萬美元）

數(shù)據(jù)來源：公司財報，賽迪智庫整理和預測

　　二、Cree在化合物半導體領域的布局策略

　?。ㄒ唬┮許iC材料為核心延伸價值鏈

　　Cree是全球最大的SiC襯底材料供應商，2018年，Cree將SiC材料產(chǎn)能增加了一倍，市場份額近60％，并與Infineon和ST兩大汽車電子半導體供應商簽訂了多年供貨協(xié)議。在用于制造GaN－on－SiC射頻器件的高純半絕緣SiC襯底市場，Cree的市場份額可達90％。Cree依托SiC襯底材料領域的核心競爭力，向GaN－on－SiC射頻器件和SiC功率器件領域延伸。2016－2019財年，GaN射頻器件和SiC功率器件的年均增速分別達到29％和51％。

　　（二）通過并購打通通信市場渠道

　　Cree的GaN射頻器件部門早期主要服務于美國軍工，產(chǎn)品曾裝載在“薩德”彈道導彈防御系統(tǒng)中。隨著移動通信基站對高頻率和高功效的要求進一步提高，GaN射頻器件成為基站功率放大器的優(yōu)選解決方案。Cree公司主要通過為NXP／Freescale、Infineon、RFHIC等基站射頻器件企業(yè)代工的途徑進入GaN射頻器件市場，在基站領域的市場份額不及華為的供應商日本住友電工公司。為開拓通信基站市場，Cree于2018年收購全球第四大基站射頻器件供應商Infineon公司的射頻器件部門，進一步提升Cree在移動通信用GaN射頻器件領域的設計能力和封裝測試能力。

　　（三）通過合作開拓GaN功率器件市場

　　基于Si襯底的GaN功率器件同樣是市場關注的熱門技術，相比SiC功率器件具有成本低和易集成等特點，主要應用于高端電源等產(chǎn)品，市場成長空間遠大于GaN射頻器件。Cree的優(yōu)勢是SiC材料及相關器件，并無Si基GaN功率器件的技術優(yōu)勢，難以與收購IR的Infineon、在臺積電代工的Navitas和EPC、與松下合作的TI等競爭對手抗衡。2018年，Cree通過專利授權的方式，將GaN領域的基礎專利授權給安世半導體（Nexperia）公司，共同合作開拓Si基GaN功率器件市場。

　　三、對我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的啟示

　?。ㄒ唬┮妥〖拍N煉內(nèi)功

　　Cree從SiC材料起家，歷經(jīng)30余年，不斷引領化合物半導體技術進步。一方面，說明半導體行業(yè)并不存在“風口”，也不會有“紅利”，技術進步必須依靠堅持不懈的基礎研究和原始創(chuàng)新。即便化合物半導體擁有非常廣闊的市場前景，依然需要幾十年的技術積累。另一方面，產(chǎn)業(yè)資本和地方政府資金在進入化合物半導體行業(yè)時，需選擇具有技術積累的團隊和企業(yè)，保持耐心和定力，加強團隊建設和技術研發(fā)，積極開拓市場資源，避免在技術尚未成熟或尚無明確客戶時啟動投資建設大規(guī)模生產(chǎn)線。

　?。ǘ┮l(fā)揮優(yōu)勢，把握機遇

　　我國發(fā)展化合物半導體最大的優(yōu)勢是全球最大的應用市場和日益強大的整機企業(yè)。三安光電等在LED照明領域的成功也說明市場的帶動作用舉足輕重。我國是全球最大的移動通信市場，已建成全球最大的4G通信網(wǎng)絡，基站數(shù)量超過200萬。2019年，我國將啟用5G通信，未來新建基站將超過500萬座。華為和中興分別是全球第一大和第四大基站供應商。華為、OPPO、小米、vivo是全球前六大的智能手機企業(yè)，每年出貨量超過5億部。我國是全球最大的新能源汽車產(chǎn)銷國，占全球比重超過50％。2018年，比亞迪公司共銷售了24．8萬輛新能源汽車，連續(xù)4年成為全球新能源汽車銷量冠軍。北汽、上汽、長安、蔚來等自主汽車品牌也均在新能源汽車市場占據(jù)一席之地。

　?。ㄈ┮辞宕髣?，合作共贏

　　一方面，化合物半導體是軍用關鍵技術，我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須自力更生。此次案件之前，Cree曾于2016年計劃將Wolfspeed出售給Infineon，被美國政府以涉及國家安全為由予以阻攔。2018年8月1日，美國商務部將包括部分中電科研究所在內(nèi)的國內(nèi)44家單位列入出口管制名單。禁運名單中包括多家以化合物半導體為專長的研究機構(gòu)和企業(yè)。另一方面，國際巨頭頻頻加大布局，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需注重資源整合。Cree通過此次業(yè)務剝離，更加專注鞏固化合物半導體市場優(yōu)勢。此前，Infineon推出SiC和GaN的完整電源解決方案，ST的SiC MOSFET已批量應用于特斯拉電動車。

　　國內(nèi)化合物半導體各環(huán)節(jié)企業(yè)和整機應用企業(yè)需加強合作，推動以資本為紐帶整合產(chǎn)業(yè)資源。面向5G通信基站、新能源汽車和工業(yè)電源等市場，加大國產(chǎn)化合物半導體產(chǎn)品的試用和驗證。發(fā)揮政府的組織協(xié)調(diào)優(yōu)勢，搭建試用驗證平臺，鼓勵整機企業(yè)敢用、愿用國產(chǎn)產(chǎn)品。通過模擬真實應用環(huán)境，不斷試錯、發(fā)現(xiàn)和解決問題，提升國內(nèi)器件企業(yè)市場競爭力。

表1 我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)體系

數(shù)據(jù)來源：賽迪智庫整理

原文來源： 賽迪網(wǎng)，作者：朱邵歆，系賽迪研究院集成電路研究所副所長；夏夢陽，供職于賽迪研究院集成電路研究所