蜜桃AN网站区一区二,,国精品无码一区二区三区在免费,,AV无码精品色午夜,,四虎影视久久福利91精品一区二区三区

          當(dāng)前位置: 學(xué)堂 - 百科

          化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯的發(fā)展現(xiàn)狀

          來(lái)源:新材料在線 2485 2021-08-13

          顆粒在線訊:石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化軌道緊密堆積成的六角型呈蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的二維碳納米材料,其擁有很高的載流子遷移率、熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度以及可見(jiàn)光透光率等性能。目前技術(shù)相對(duì)成熟和可規(guī)模量產(chǎn)的生產(chǎn)方法主要有氧化還原法、機(jī)械剝離法和化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)法,相對(duì)其它石墨烯制備方法,CVD法具有產(chǎn)物質(zhì)量高、生長(zhǎng)面積大、層數(shù)可控等優(yōu)點(diǎn),其性能也更接近于石墨烯本征物性。

          CVD這一方法最早出現(xiàn)在二十世紀(jì)六十年代,主要用來(lái)制備高純度、高性能的固體薄膜。2009年,德克薩斯州大學(xué)Rodney Ruoff教授團(tuán)隊(duì)采用CVD法首次實(shí)現(xiàn)了石墨烯的制備,它的原理主要是將一種含碳的前驅(qū)氣體(甲烷、乙烯等)在高溫和真空的環(huán)境下,用氫氣作為還原性氣體通入反應(yīng)爐內(nèi),通過(guò)金屬基底的催化作用,使前驅(qū)氣體裂解從而最終在基底表面形成石墨烯(如圖1所示)。

           CVD法制備石墨烯的基本步驟

          圖1 CVD法制備石墨烯的基本步驟

          由于CVD法對(duì)于制備高質(zhì)量、大面積的石墨烯單晶或薄膜具有優(yōu)異的可控性和可擴(kuò)展性,近年來(lái)科學(xué)家們對(duì)CVD法合成石墨烯的技術(shù)原理及生長(zhǎng)條件、轉(zhuǎn)移工藝、生長(zhǎng)設(shè)備等方面做了大量研究工作。尤其是針對(duì)不同的技術(shù)原理和生長(zhǎng)工藝而開發(fā)出具有不同特點(diǎn)的CVD設(shè)備(如表1所示)。一般說(shuō)來(lái),CVD技術(shù)主要包括低壓(LP)CVD、常壓(AP)CVD及等離子體增強(qiáng)(PE)CVD,可以根據(jù)各自不同的技術(shù)特點(diǎn)而被運(yùn)用在特定的場(chǎng)景需求之中。另外,在CVD法石墨烯制備的過(guò)程中,溫度控制是反應(yīng)過(guò)程中非常重要的因素之一。為此,CVD設(shè)備還可分為熱壁(HW)CVD和冷壁(CW)CVD兩種類型。相較于HWCVD的石墨烯生長(zhǎng)耗時(shí)長(zhǎng)、能量消耗高等缺點(diǎn),CWCVD可進(jìn)行快速的加熱與冷卻,從而縮短生長(zhǎng)時(shí)間以及減少氣體的消耗。與此同時(shí),其冷壁效果可以有效地抑制HWCVD中存在的高溫氣相副反應(yīng),而這正是導(dǎo)致CVD石墨烯薄膜表面被污染的重要因素之一。

          表1 CVD石墨烯設(shè)備的類別及其優(yōu)缺點(diǎn)

          CVD石墨烯設(shè)備的類別及其優(yōu)缺點(diǎn)

          為實(shí)現(xiàn)CVD法石墨烯大規(guī)模、高質(zhì)量、連續(xù)化的制備,除了針對(duì)不同的應(yīng)用需求選擇合適的技術(shù)和設(shè)備之外,在實(shí)際的工業(yè)化生產(chǎn)當(dāng)中,生產(chǎn)工藝的選擇也同樣非常重要。目前,主流的CVD石墨烯大規(guī)?;a(chǎn)方式有兩種,分別是分批次(Batch to Batch)法和卷對(duì)卷(Roll to Roll)法。其中,Batch to Batch法已通過(guò)實(shí)驗(yàn)室級(jí)的大量研究,工藝方法相較成熟,而且可較低成本實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)CVD法石墨烯的制備。圖2展示了可實(shí)現(xiàn)CVD石墨烯的Batch to Batch法制備,在每一批次的石墨烯生產(chǎn)中,在銅箔之間插入石墨片達(dá)到一定數(shù)量銅箔的堆疊,通過(guò)控制反應(yīng)腔體中的反應(yīng)氣氛的均一性,最終實(shí)現(xiàn)石墨烯薄膜的批量化生產(chǎn)。

          圖2 分批次生產(chǎn)法(Batch to Batch)在銅箔上生長(zhǎng)石墨烯實(shí)例展示

          基于以上背景,行業(yè)內(nèi)不少企業(yè)很早就著力于CVD法石墨烯薄膜的工業(yè)化生產(chǎn)及規(guī)?;瘧?yīng)用研究。墨??萍甲鳛橐患覍iT從事于石墨烯等先進(jìn)材料應(yīng)用開發(fā)的高科技新材料公司,早在公司成立第二年就已在該方向有所布局。其所使用的工業(yè)級(jí)CVD反應(yīng)爐具備一定規(guī)模石墨烯薄膜的批量化生產(chǎn)能力。與此同時(shí),該設(shè)備的腔體帶有冷壁效果,可以有效地保證石墨烯薄膜產(chǎn)品的品質(zhì)以及潔凈程度,使其具備中高端產(chǎn)品應(yīng)用能力。目前,已持續(xù)穩(wěn)定地向各科研院所或企業(yè)供應(yīng)多種不同規(guī)格的CVD銅基石墨烯,用戶使用效果反饋良好。譬如,“MFVU-1060”型銅基石墨烯(規(guī)格:10cm x 10cm),其特點(diǎn)為單層率可達(dá)98%,透光率大于97%,石墨烯表面無(wú)污染物(如圖3所示)。此外,由于CVD石墨烯在銅基上的應(yīng)用較為局限,墨??萍歼€采用自主開創(chuàng)的特殊轉(zhuǎn)移工藝,可批量化地生產(chǎn)其應(yīng)用產(chǎn)品——石墨烯TEM金屬載網(wǎng)。該產(chǎn)品擁有的石墨烯薄膜覆蓋率高,破損率低,相比傳統(tǒng)的金屬載網(wǎng)(非晶碳膜/金屬載網(wǎng)、金屬載網(wǎng))具有較高的電子遷移率和熱傳導(dǎo)率,適用于生物分子結(jié)構(gòu)解析的冷凍電鏡和普通透射電鏡使用(如圖4所示)。

          圖3 墨睿科技CVD法銅基石墨烯及其微觀形貌

          圖4 墨??萍际㏕EM金屬載網(wǎng)及其微觀形貌

          除此之外,市面上部分石墨烯公司還基于CVD法石墨烯開發(fā)出了石墨烯發(fā)熱膜、石墨烯觸控屏等產(chǎn)品。但即使如此,CVD法石墨烯及其相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品的市場(chǎng)發(fā)展欠缺活力,這其中的因素多而復(fù)雜。比如,如何較好地設(shè)計(jì)和調(diào)整生產(chǎn)條件(工藝、設(shè)備、關(guān)鍵參數(shù))來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)石墨烯薄膜結(jié)構(gòu)特性的調(diào)控,以滿足不同場(chǎng)景和性能需求下的應(yīng)用開發(fā)。同時(shí)針對(duì)不同應(yīng)用的特殊性,對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中合理設(shè)計(jì)和控制成本效益、生產(chǎn)能力等方面因素提出了更高要求;亦或是如何精準(zhǔn)有效地將金屬基底上高品質(zhì)、層數(shù)均一的石墨烯轉(zhuǎn)移至不同的功能層或襯底上,再將其應(yīng)用于實(shí)際場(chǎng)景中??偠灾?,CVD法石墨烯的發(fā)展及應(yīng)用之路還很漫長(zhǎng),如何開發(fā)出真正能夠影響甚至改變生活的“殺手锏”應(yīng)用,這還需要各方力量共同努力。

          參考資料:

          【1】 Li, X.; Cai, W.; An, J.; Kim, S.; Nah, J.; Yang, D.; Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils. Science 2009, 324, 1312?1314.

          【2】CVD的種類與比較。https://www.docin.com/p-526086080.html

          版權(quán)與免責(zé)聲明:


          (1) 凡本網(wǎng)注明"來(lái)源:顆粒在線"的所有作品,版權(quán)均屬于顆粒在線,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來(lái)源:顆粒在線"。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。


          (2)本網(wǎng)凡注明"來(lái)源:xxx(非顆粒在線)"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),且不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)下載使用,必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來(lái)源",并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。


          (3)如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

          熱點(diǎn)新聞推薦
          COPYRIGHT 顆粒在線charleseparker.com ALL RIGHTS RESERVED | 津ICP備2021003967號(hào)-1 | 京公安備案 11010802028486號(hào)